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超低功耗 SRAM IP 面向物聯(lián)網、可穿戴 SoC
超低功耗 SRAM IP 面向物聯(lián)網、可穿戴 SoC
超低功耗內存專家sureCore正在招聘在內存設計方面擁有10年或以上經驗的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務于可穿戴和物聯(lián)網 (IoT) 應用且對功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統(tǒng) (SoC) 設計。
這家總部位于英國謝菲爾德的公司聲稱，其專門設計的 SRAM IP 可以將內存功率需求降低多達 50%，這對于越來越智能的可穿戴設計至關重要。另一方面，使用現成的內存會消耗可穿戴設備高達 50% 的可用功率預算。
超低功耗內存專家sureCore正在招聘在內存設計方面擁有10年或以上經驗的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務于可穿戴和物聯(lián)網 (IoT) 應用且對功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統(tǒng) (SoC) 設計。
這家總部位于英國謝菲爾德的公司聲稱，其專門設計的 SRAM IP 可以將內存功率需求降低多達 50%，這對于越來越智能的可穿戴設計至關重要。另一方面，使用現成的內存會消耗可穿戴設備高達 50% 的可用功率預算。
圖 1 SRAM IP 細分為多達八種系統(tǒng)友好的睡眠模式，這些模式可以處于獨立的活動、保留或斷電模式。
由于支持運行眾多軟件應用程序的多個處理器，嵌入式存儲器在現代 SoC 設計中變得越來越普遍。然而，SRAM 歷來是耗電的，這使得它對可穿戴電子設備和物聯(lián)網應用的開發(fā)人員沒有吸引力。sureCore 所做的是通過其先進的電路設計技術套件顯著降低動態(tài)和靜態(tài)功耗。
以經過硅驗證的 SRAM EverOn 技術為例。它將操作擴展到接近閾值電壓，實際限制是位單元保持電壓。對于更低的電壓操作，MiniMiser 寄存器文件技術直接跟蹤邏輯提供的最小操作電壓。當只需要低水平的計算時，這些內存解決方案會降低運行能力。
圖 2雖然標準 SRAM 在低于 0.9 V 時不可靠，但單電源軌、超低功耗 SRAM 允許工作電壓與邏輯同步調整。
該公司提供定制內存設計服務以及超低功耗物聯(lián)網參考平臺，以展示其面向內存的技術。在人工智能 (AI) 智能要求芯片上有更多內存的時候，有趣的是，像 sureCore 這樣的公司正在挑戰(zhàn)傳統(tǒng) SRAM 架構的基本限制，以獲得更高效的內存解決方案。