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碳化硅SiC正在改變太陽能產業
2013年，Lux Research(盧克斯研究所)發布了一份報告，估計太陽能逆變器分立器件市場將在2020年猛增至14億美元。隨著對可再生能源的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的興趣日益濃厚，這一估計如何獲得成功應用，特別是太陽能。
碳化硅在太陽能中的作用是什么？
太陽能發電設備所產生的電能要與電網進行組網，逆變器是太陽能電池板與電網的關鍵中心。而碳化硅(SiC)是逆變器的核心元件。高性能的碳化硅將使逆變器和轉換器的使用壽命更長，工作效率更高，且降低成本。美國人非常重視碳化硅在逆變器中的應用，且其政府專門成立了一個研究所用于研究碳化硅。
碳化硅在太陽能行業的應用
許多制造商正在利用碳化硅來設計制造與太陽能應用兼容的設備。比較新的一種是安森美半導體（ON Semiconductor），該公司提供各種可處理900 V和1200 V的碳化硅 MOSFET。特別是，這兩個新設備可以分別處理118 A和103A。
英飛凌發布了新的低溫碳化硅MOSFET，R DS（on）至107mΩ的650 V設備已在電信，工業，電動汽車和太陽能應用等領域證明了其實用性。UnitedSiC是另一家以碳化硅器件而聞名的公司，該公司提供UF3C系列的650 V和1200 V 碳化硅 FET，與英飛凌的650 V 低溫碳化硅 MOSFET一樣，其R DS（on）低至27mΩ 。這是一個重要的屬性，因為它表示設備導通時，其漏極和源極之間存在的電阻量。荷蘭有一家太陽能車隊應用了UnitedSiC公司的碳化硅MOSFET參加了澳大利亞3000公里比賽。
由于功率等于I 2 R，并且這些單元可以承載85 A的電流，這意味著即使在0.027Ω的情況下，這些單元也可以提供200 W的功率。 對于太陽能逆變器，降低發熱量至關重要！因此，低RR DS（on是影響逆變器壽命的重要因素。
太陽能采集系統
日本滋賀大學研究人員進行了一項研究，為移動設備創建光伏發電系統，在200瓦以下的應用中評估了碳化硅器件的有效性。研究人員采用了大功率的電路設計，該電路根據太陽的強度和可用能量不斷調整負載條件。
使用ROHM Semiconductor的四個SCT3060AL 碳化硅 FET，該器件的逆變器能夠以200 kHz的頻率進行開關，從而使體積和重量減少了35％。研究人員得出的結論是：基于碳化硅的逆變器表現出的峰值直流DC-AC轉換效率高于傳統的Si逆變器。
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